芯片封装用金属互连结构耦合场性能分析开题报告

 2023-09-13 08:09

1. 研究目的与意义

一、文献综述与调研报告:(阐述课题现状及发展趋势,课题的价值、参考文献)

本课题的现状及发展趋势:

随着电学互连结构在集成电路中的广泛应用,对多维互连结构耦合场的分析也越来越受到重视。本课题主要通过sentaurus interconnect模块来仿真创建研究sio2介质层隔离的穿孔双金属层互连结构,研究该结构的热、电和机械效应,及相应的温度、热通量和应力等物理场的分布和优化,探究多维互连电学结构在教学研究及工业芯片设计等领域的重要价值,通过合理分布与优化使芯片具有更好的热稳定性与效率。

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2. 研究内容和问题

二、本课题的基本内容,预计解决的难题

基本内容:

通过Interconnect模块创建SiO2介质层隔离的穿孔双金属层互连结构,通过sdevice模块从热、电和机械效应等方面来仿真互连结构的耦合场特性;对分析结果进行探讨,研究该结构温度、热通量和应力等物理场的分布和优化。

预计解决的难题

研究该互连结构的具体工作方式,并对互连结构中电场、电势和应力等物理量进行分析。

3. 设计方案和技术路线

三、课题的研究方法、技术路线:

研究方法:

对多维电学互连结构的耦合场进行仿真,通过SentaurusInterconnect模拟器对该互连结构中的热、电和机械等效应进行分析。

技术路线

Interconnect模块创建SiO2介质层隔离的穿孔双金属层互连结构,通过sdevice模块主要从热、电和机械效应等方面来仿真互连结构的耦合场特性;对分析结果进行探讨,研究该结构相应的温度、热通量和应力等物理场的分布和优化。

4. 研究的条件和基础

四、研究工作条件和基础:

具备基本的半导体物理知识、具有动手能力与实验能力,会使用相关的仿真软件,能完成相应的仿真操作,查阅相关的文献资料。

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