HfO2基薄膜电极及界面性质研究开题报告-文献开题网

1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）

一、课题名称hfo2基薄膜电极及界面性质研究二、项目研究背景从1958年集成电路时代开始以来，人们正不断向信息化社会高速迈进。

随着人们进入21世纪，信息化社会高度发展，产生了海量的数据，这些数据给存储器的发展带来不小的挑战。

其中最具代表性的存储技术之一的是铁电存储器，它是利用铁电薄膜材料的自发极化来存储逻辑数据0-1状态的，具有高读写寿命、强抗辐射性能和超低功耗的优异性能。

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一、本课题要研究或解决的问题：由于hfo2的铁电性能往往会受到铁电薄膜或界面缺陷的影响，本课题就是为了探究不同制备和处理下hfo2薄膜电极的电学性质与界面处结构间的关系。

二、拟采用的研究手段：薄膜制备采用脉冲激光沉积技术。

脉冲激光沉积（pulsed laser deposition，pld）是一种利用聚焦的高能激光对靶材进行轰击，然后将轰击出来的物质沉淀在衬底上，得到沉淀或者薄膜的一种手段。

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